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MCT碲镉汞光电二极管

碲镉汞 MCT(HgCdTe) 中红外光伏探测器 2-13um

碲镉汞(MCT)中红外光伏探测器基于复杂的MCT异质结构的电冷却红外光电探测器,具有好的性能和稳定性。探测器在λopt时达到优秀性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

碲镉汞 MCT(HgCdTe) 非冷却 红外光伏/光电导多通道象限探测器 1-12um

有效表面由两个以上元素组成的红外探测器。该产品包括基于光电二极管和光电导体的象限几何探测器。非常适合国防和安全应用以及 XY 或差分测量。PVMQ是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器,性能最佳性能和稳定性。象限探测器由四个独立的有源元件组成,这些元件排列成一个象限几何形状。这个设备是针对10.6µm的最高性能进行了优化。PVMQ探测器的主要应用是激光束轮廓和定位。PCQ是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导象限探测器,具有最佳的性能和稳定性.稳定性象限探测器由四个独立的有源元件组成,这些元件排列成一个象限几何形状。该设备针对以下情况进行了优化:10.6µm时的最大性能。探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下运行。

碲镉汞 MCT(HgCdTe) 多结光伏探测器 2.0 – 13.0um

碲镉汞 MCT (HgCdTe)光伏多结探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构为了获得佳的性能和稳定性,光学浸没以改善器件的参数。这个检测器经过优化,可在λopt下获得Max. 性能。它们te别适用于在内部运行的大光学面积探测器光谱范围为2.0至13.0µm。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

碲镉汞 MCT(HgCdTe) 中红外光电导探测器 1-16um

碲镉汞(MCT)中红外光导探测器基于复杂的MCT异质结构的电冷却红外光电探测器,具有好的性能和稳定性。探测器在λopt时达到优秀性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

碲镉汞 MCT(HgCdTe) 非冷却 光电磁 红外光伏探测器 2.0-12.0um

PEMI系列是一款基于光电磁效应的MCT红外光伏探测器,并且采用光学浸没的方式提高探测器的性能。光入射会使探测器内部半导体产生的电子空穴对在磁场的作用下移动。该器件在10.6 μm处探测性能最佳,是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测器被安装在内部含有磁性电路的特殊包装中。3°楔形硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗户,可以防止不必要的干扰影响和污染。

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