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首页 光电探测器 光电二极管 MCT碲镉汞光电二极管 碲镉汞 MCT(HgCdTe) 中红外光伏探测器 2-13um 2-12um MCT中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列
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    2-12um MCT中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列

    PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有他本身的z佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

    产品特点 可探测中红外波长范围2-12μm ,可配专用前置放大器 ,1mm×1mm大尺寸光敏面 , 带有抗反射涂层窗口镜 , 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没,有效提升探测效率

    产品型号MCT-PVI-2TE-3-1×1

    应用领域医学热成像红外光谱分析中红外气体吸收检测中红外激光探测

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    主要参数
  • 核心参数
  • 波长范围

    2-12μm

  • 尺寸图
  • 型号参数


    参数

    探测器型号

    PVI-2TE-3

    PVI-2TE-3.4

    PVI-2TE-4

    PVI-2TE-5

    PVI-2TE-6

    PVI-2TE-8

    PVI-2TE-10.6

    有源元件材料

    外延MCT异质结构

    z佳波长λoptμm

    3

    3.4

    4

    5

    6

    8

    10.6

    探测灵敏度D*(λpeak20kHz),cm·Hz½/w

    ≥8×1011

    ≥6×1011

    ≥4×1011

    ≥2×1011

    ≥7×1010

    ≥4×109

    ≥2×109

    探测灵敏度D*(λopt20kHz),cm·Hz½/W

    ≥5.5×1011

    ≥3×1011

    ≥3×1011

    ≥9×1010

    ≥4×1010

    ≥2×109

    ≥1×109

    电流响应度Ri(λopt),A/W

    ≥0.5

    ≥0.8

    ≥1.3

    ≥1.3

    ≥1.5

    ≥0.8

    ≥0.4

    时间常数T,ns

    ≤280

    ≤200

    ≤100

    ≤80

    ≤50

    ≤45

    ≤10

    电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2

    ≥15000

    ≥300

    ≥200

    ≥10

    ≥2

    ≥0.02

    ≥0.01

    有源元件温度Tdet,K

    ~230

    感光面面积AO,mm×mm

    0.5×0.5,1×1

    0.05×0.05

    封装

    TO8,TO66

    接收角Φ

    36°

    窗口

    wAl2O3

    wZnSeAR

     

    封装外形尺寸图


    TO8型封装外形尺寸图

    图片5.png 

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    4.1±0.3

    3.2±0.3

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—2TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    2TE-TO8引脚定义

    功能

    PIN号

    探测器

    1,3

    反向偏压(可选)

    1(-),3(+)

    热敏电阻

    7,9

    TE冷却器供应

    2(+),8(-)

    底板接地

    11

    未使用

    4,5,6,10,12

     

    2TE-TO66封装尺寸图

    图片6.png 

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积AO;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    R,mm

    0.5

    0.8

    A,mm

    5.15±0.30

    3.2±0.30

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—2TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    TO66引脚定义

    功能

    PIN号

    探测器

    7,8

    反向偏压(可选)

    7(-),8(+)

    热敏电阻

    5,6

    TE冷却器供应

    1(+),9(-)

    未使用

    2,3,4

    特性曲线


    探测器光谱响应特性曲线

    图片7.png 

    热敏电阻特性曲线

    图片8.png 

    两级TE冷却参数表

    参量

    数值

    Tdet K

    ~230

    Vmax V

    1.3

    Imax A

    1.2

    Qmax W

    0.36

     

    抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

    图片9.png 

     


    可选配置表

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