增益芯片

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Innolume增强光放大器(载体芯片)

BOA1290065CC550MXXXX -> 输出功率为 550mW,平均波长为 1290nm,带宽为 65nm,载波芯片

半导体光放大器芯片

拥有全波段SOA芯片,低噪声指标,宽波段工作范围,大增益输出

产品信息产品型号 中心波长输出功率光斑直径 操作

1550nm SOA COC芯片 SOA1550COC 1550nm16dBm4.5um 加入询价单

1600nm SOA COC芯片 SOA1600COC 1600nm16dBm4.5um 加入询价单

1650nm SOA COC芯片 SOA1650COC 1650nm16dBm4.5um 加入询价单

INO LaserNGN 高功率超快激光Yb掺镱光纤增益模块 增益Max 30dB 峰值功率500kW

总览 INO LaserNGN针对高峰值功率和高平均功率应用进行了优化。作为增益模块核心的锥形光纤基于我们的低光散射核心化学成分,并具有不一样的专有折射率曲线。因此,在平均输出功率高达100 W的情况下,可实现无TMI运行,并具有出色的光束质量和良好的偏振保持性。该模块可通过其标准10/125 PM输入光纤轻松集成到尾纤振荡器中。

产品信息产品型号 额定输出功率增益带宽 操作

LaserNGN 高功率超快激光Yb掺镱光纤增益模块 30dB 500kW LaserNGN 100 W1020-1080 nm 加入询价单

光纤耦合弯曲条形增益芯片模块 (调谐范围950-1200nm)

总览 增益模块与增益芯片类似,但一侧耦合到单模光纤中。它非常适用于构建具有光纤输出的可调谐激光器。工厂制造的光纤耦合可确保优化的耦合效率、长期稳定性和出色的可靠性。增益模块消除了对裸增益芯片方案中常用的许多元件的需求,从而大大提高了系统可靠性并降低了成本。增益模块的另一个特点是通过内置TEC和高精度热敏电阻实现温度稳定性。

产品信息产品型号 中心波长输出功率 操作

光纤耦合弯曲条形增益芯片模块 (1030nm 调谐范围宽度130nm) GM-1030-130-PM-200 1030nm200mW 加入询价单

激光器增益芯片 780-1330nm

总览 增益芯片是用作外腔半导体激光器或可调谐二极管激光器增益介质的半导体元件。增益芯片被用作TLS(可调谐光源),它可以使用波长选择滤波器(如衍射光栅)来改变振荡波长。增益芯片类似于激光二极管芯片,不同的是它在一个或两个端面上都有较深的抗反射涂层,大大提高或消除了自激阈值。

产品信息产品型号 中心波长调谐范围输出功率正向电流 操作

GCB1330070TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1330070TC200MXXXX 1325nm70nm200mW800mA 加入询价单

GCB1300060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1300060TC200MXXXX 1300nm60nm200mW800mA 加入询价单

GCB1270130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1270130TC200MXXXX 1270nm130nm200mW800mA 加入询价单

GCB1260060TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1260060TC200MXXXX 1260nm60nm210mW800mA 加入询价单

GCB1220110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1220110TC200MXXXX 1215nm110nm230mW800mA 加入询价单

GCB1180100TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1180100TC200MXXXX 1170nm100nm210mW600mA 加入询价单

GCB1105130TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1105130TC200MXXXX 1105nm130nm200mW400mA 加入询价单

GCB1060150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1060150TC200MXXXX 1060nm150nm210mW400mA 加入询价单

GCB1030160TC100MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1030160TC100MXXXX 1030nm160nm110mW200mA 加入询价单

GCB1030150TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB1030150TC200MXXXX 1025nm150nm200mW400mA 加入询价单

GCB0950110TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB0950110TC200MXXXX 950nm110nm200mW400mA 加入询价单

GCB0920090TC200MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB0920090TC200MXXXX 905nm90nm200mW400mA 加入询价单

GCB0780030TC030MXXXX-B型增益芯片(TO封装) GCB0780030TC030MXXXX 775nm30nm33mW150mA 加入询价单

GCA1330060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1330060TC200MXXXX 1330nm60nm210mW800mA 加入询价单

GCA1310060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1310060TC200MXXXX 1310nm60nm220mW800mA 加入询价单

GCA1270140TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1270140TC200MXXXX 1270nm140nm220mW800mA 加入询价单

GCA1270060TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1270060TC200MXXXX 1270nm60nm220mW800mA 加入询价单

GCA1260060TC120MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1260060TC120MXXXX 1260nm60nm120mW400mA 加入询价单

GCA1180080TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1180080TC200MXXXX 1180nm80nm220mW600mA 加入询价单

GCA1160090TC200MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1160090TC200MXXXX 1150nm90nm230mW600mA 加入询价单

GCA1110070TC300MXXXX-A型增益芯片(TO封装) GCA1110070TC300MXXXX 1105nm70nm350mW600mA 加入询价单

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