
Si硅光电二极管
硅 Si 光电二极管探测器放大器 Photop™混合封装系列 200-1100nm
硅 Si Photop™系列,将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装,确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的,既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置,也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。
产品型号产品名称 光谱响应响应度 操作
UDT-455UDT-455 光电二极管放大器混合器 350-1100nm 350-1100nm0.65A/W@970nm 加入询价单
UDT-455UVUDT-455UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm 200-1100nm0.14A/W@254nm 加入询价单
UDT-555UVUDT-555UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm 200-1100nm0.14A/W@254nm 加入询价单
硅 Si PIN光电二极管(TO封装) 400-1100nm
器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
产品型号产品名称 响应波段 响应速度 操作
MP-Si-02-ADP法兰式Si光电探测器 光敏面直径200um 400-1100nm<2ns 加入询价单
MP-Si-02-FC-SA光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um 400-1100nm<2ns 加入询价单
MP-Si-02-TO46超快Si光电探测器 光敏面直径0.2mm 400-1100nm<2ns 加入询价单
MP-Si-1-TO46超快Si光电探测器 光敏面直径1mm 400-1100nm<6ns 加入询价单
MP-Si-2-TO5Si光电探测器 光敏面直径2mm 400-1100nm<8ns 加入询价单
MP-Si-4-TO8Si光电探测器 光敏面直径4mm 400-1100nm<2ns 加入询价单
MP-Si-6-TO86mm大光敏面(Si)硅光电探测器 400-1100nm<2ns 加入询价单
MP-Si-8-TO88mm大光敏面(Si)硅光电探测器 400-1100nm<25ns 加入询价单
硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm
Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。
产品型号产品名称 光谱响应感光规格 操作
APD-SI-905-0.23-LCC3硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.23mm LCC3) 400-1100nm0.23mm 加入询价单
APD-SI-905-0.23-TO46硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.23mm TO46) 400-1100nm0.23mm 加入询价单
APD-SI-905-0.5-LCC3硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.5mm LCC3) 400-1100nm0.5mm 加入询价单
APD-SI-905-0.5-TO46硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.5mm TO46) 400-1100nm0.5mm 加入询价单
APD-SI-905-0.8-TO46硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.8mm TO46) 400-1100nm0.8mm 加入询价单
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