Si硅光电二极管
Sherry
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硅 Si 光电二极管探测器放大器 Photop™混合封装系列 200-1100nm
硅 Si Photop™系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。
产品信息产品型号 光谱响应响应度 操作
UDT-455 光电二极管放大器混合器 350-1100nm
UDT-455
350-1100nm0.65A/W@970nm 加入询价单
UDT-455UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm
UDT-455UV
200-1100nm0.14A/W@254nm 加入询价单
UDT-555UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm
UDT-555UV
200-1100nm0.14A/W@254nm 加入询价单
硅 Si PIN光电二极管（TO封装） 400-1100nm
器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
产品信息产品型号 响应波段 响应速度 操作
法兰式Si光电探测器 光敏面直径200um
MP-Si-02-ADP
400-1100nm＜2ns 加入询价单
光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um
MP-Si-02-FC-SA
400-1100nm＜2ns 加入询价单
超快Si光电探测器 光敏面直径0.2mm
MP-Si-02-TO46
400-1100nm＜2ns 加入询价单
超快Si光电探测器 光敏面直径1mm
MP-Si-1-TO46
400-1100nm＜6ns 加入询价单
Si光电探测器 光敏面直径2mm
MP-Si-2-TO5
400-1100nm＜8ns 加入询价单
Si光电探测器 光敏面直径4mm
MP-Si-4-TO8
400-1100nm＜2ns 加入询价单
6mm大光敏面(Si)硅光电探测器
MP-Si-6-TO8
400-1100nm＜2ns 加入询价单
8mm大光敏面(Si)硅光电探测器
MP-Si-8-TO8
400-1100nm＜25ns 加入询价单
硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm
Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
产品信息产品型号 光谱响应感光规格 操作
硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.23mm LCC3)
APD-SI-905-0.23-LCC3
400-1100nm0.23mm 加入询价单
硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.23mm TO46)
APD-SI-905-0.23-TO46
400-1100nm0.23mm 加入询价单
硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.5mm LCC3)
APD-SI-905-0.5-LCC3
400-1100nm0.5mm 加入询价单
硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.5mm TO46)
APD-SI-905-0.5-TO46
400-1100nm0.5mm 加入询价单
硅Si雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.8mm TO46)
APD-SI-905-0.8-TO46
400-1100nm0.8mm 加入询价单
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