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首页 光电探测器 光电二极管 MCT碲镉汞光电二极管 碲镉汞 MCT(HgCdTe) 中红外光电导探测器 1-16um 1-16um 中红外光浸没式MCT四级TE冷却光电导探测器 PCI-4TE系列
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    1-16um 中红外光浸没式MCT四级TE冷却光电导探测器 PCI-4TE系列

    PCI-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电导探测器,采用光学浸没以提高探测器的性能,使其具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt时性能佳。截止波长受GaAs透过率(~0.9 μm)的限制。设备应该在优秀的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,在低频时探测器性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干扰效应。

    产品特点可探测中红外光波段范围1-16μm , 带有四级TE冷却以提高探测器响应度 , 带有超半球微型砷化镓透镜,实现光学浸没 , 特殊抗反射涂层,防止不必要干扰 , 可配专用的前置放大器

    产品型号MCT-PCI-4TE-9-2×2

    应用领域热成像FTIR光谱学激光外差探测中红外气体分析

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    主要参数
  • 核心参数
  • 响应波长范围 光敏面积

    1-16μm 2×2mm^2

  • 尺寸图
  • 封装及尺寸

     TO8型封装外形尺寸图

     图片1.png

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积Ao;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    2×2

    R,mm

    0.5

    0.8

    1.25

    A,mm

    7.3±0.4

    6.4±0.4

    5.0±0.4

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—4TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    4TE-TO8引脚定义

    功能

    PIN号

    探测器

    1,3

    热敏电阻

    7,9

    TE冷却器供应

    2(+),8(-)

    底板接地

    11

    未使用

    4,5,6,10,12

     

    4TE-TO66封装尺寸图

     图片2.png

    参量

    数值

    浸没微型透镜形状

    超半球形

    光学区域面积Ao;mm×mm

    0.5×0.5

    1×1

    2×2

    R,mm

    0.5

    0.8

    1.25

    A,mm

    8.35±0.4

    7.45±0.4

    6.1±0.4

    备注:

    ϕ—接收角度;

    R—超半球微型透镜半径

    A—4TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离

     

    4TE-TO66引脚定义

    功能

    引脚编号

    探测器

    7,8

    热敏电阻

    5,6

    TE致冷供给

    1(+),9(-)

    未使用

    2,3,4

     

    型号参数


    参数

    探测器型号

    PCI-4TE-9

    PCI-4TE-10.6

    PCI-4TE-12

    PCI-4TE-13

    PCI-4TE-14

    有源元件材料

    外延MCT异质结构


    峰值波长(μm)

    9.0

    10.6

    12.0

    13.0

    14.0

    相对响应强度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

    ≥1.25×1010

    ≥4.0×109

    ≥3.0×109

    ≥2.0×109

    ≥5.0×108

    相对响应强度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

    ≥1.0×1010

    ≥3.0×109

    ≥2.0×109

    ≥1.0×109

    ≥3.0×108

    电流响应度-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W

    ≥0.9

    ≥0.2

    ≥0.09

    ≥0.05

    ≥0.03

    时间常数T,ns

    ≤80

    ≤30

    ≤7

    ≤6

    ≤5

    1/f噪声角频率fc,Hz

    ≤10k

    ≤20k


    偏置电压-光学区域长度比Vb/LO,V/mm

    ≤0.3

    ≤0.24

    ≤0.18

    电阻R,Ω

    ≤500

    ≤400

    ≤300

    工作温度Tdet,K

    195


    感光面尺寸Ao,mm×mm

    0.5×0.5,1×1,2×2


    封装

    TO8,TO66


    接收角ϕ

    36°


    窗口

    wZnSeAR


     

    特性曲线


    20℃探测器的光谱响应曲线

     图片3.png

    两级TE冷却参数表

    参量

    数值

    Tdet,K

    195

    Vmax,V

    8.3

    Imax,A

    0.4

    Qmax,W

    0.28

     

    热敏电阻特性曲线

     图片4.png

    窗口镜抗反射涂层透过率曲线

     

     图片5.png

     

     


    可选配置表

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