InGaAs铟镓砷光电二极管
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P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装
P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。
产品信息产品型号 峰值波长光谱响应感光面积 操作
950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ3000um
P97M30T2-A
1550nm950-1650nmΦ3000um 加入询价单
950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ2000um
P97M20T2-A
1550nm950-1650nmΦ2000um 加入询价单
950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ1000um
P97M10T2-A
1550nm950-1650nmΦ1000um 加入询价单
950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ500um
P97M05T2-A
1550nm950-1650nmΦ500um 加入询价单
950-1650nm 单元InGaAs探测器 二级TEC 感光Φ300um
P97M03T2-A
1550nm950-1650nmΦ300um 加入询价单
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器
产品信息产品型号 峰值波长工作波长 操作
InGaAs 铟镓砷单元探测器 0.9-1.7um SWIR-Ⅱ型
SWIR-Ⅱ
1.55 um0.9-1.7um 加入询价单
900-1700nm 铟镓砷InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 近红外波长
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。 为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
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900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC Φ0.3~3mm TO8封装
GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。
产品信息产品型号 工作波长光敏面直径封装 操作
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ3mm
GESTIN-2TE-TO8-3000
900-2700nm3mmTO8封装 加入询价单
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm
GESTIN-2TE-TO8-2000
900-2700nm2mmTO8封装 加入询价单
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.5mm
GESTIN-2TE-TO8-0500
900-2700nm0.5mmTO8封装 加入询价单
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.3mm
GESTIN-2TE-TO8-0300
900-2700nm0.3mmTO8封装 加入询价单
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ1mm
GESTIN-2TE-TO8-1000
900-2700nm1mmTO8封装 加入询价单
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 Φ3.0mm/Φ1.5mm
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 Φ3.0mm/Φ1.5mm是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。
产品信息产品型号 灵敏度范围有效光敏面直径响应度 操作
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 3.0mm TO39密封圆顶透镜
MTPD2601K8-300
800-2600nm3.0mm1.24A/W 加入询价单
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 1.5mm TO39密封圆顶透镜
MTPD2601K8-150
800-2600nm1.5mm1.24A/W 加入询价单
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 3mm TO39密封平面透镜
MTPD2601T8-300
800-2600nm3mm1.24A/W 加入询价单
铟镓砷 InGaAs (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm
马克科技的4346系列是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合光通信设备。该模型也可选用定制包装
产品信息产品型号 光敏面直径光谱响应响应度 操作
600-1750nm 铟镓砷象限光电二极管
MTPD4346T38-300
3mm600-1750nm0.55 A/W @λ=1330nm 加入询价单
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39 光敏面3mm
Marktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm
产品信息产品型号 灵敏度范围光敏面直径 操作
600-1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 TO-39封装
MTPD1346D-300
600-1750nm3mm 加入询价单
1.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管 Φ0.3 mm
应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等 产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、TO46 封装
产品信息产品型号 光敏面直径工作波长峰值波长 操作
1.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管
PD-InGaAs-300/2600-TO46
Φ0.3 mm1.0~2.6 um2.2 um 加入询价单
铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm
InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
产品信息产品型号 光谱响应感光面积 操作
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ3mm
PLC3000/2.6
900-2600 nmφ3 mm 加入询价单
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm
PLC300/2.6
900-2600 nmφ3 mm 加入询价单
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ2mm
PLC2000/2.6
900-2600 nmφ2 mm 加入询价单
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型
InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
产品信息产品型号 光谱响应范围响应度 操作
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型
IGA-APD-GM104-R-TEC
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型
IGA-APD-GM104-R
0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单
铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um
2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。
产品信息产品型号 峰值波长响应度 操作
2.2um 扩展型铟镓砷InGaAs 光电二极管探测器GPD φ3mm
GAP3000/2.2
2.0 ± 0.1um@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 加入询价单
2.2um 扩展型铟镓砷InGaAs 光电二极管探测器GPD φ2mm
GAP2000/2.2
2.0 ± 0.1um@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 加入询价单
铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)
PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。
产品信息产品型号 光谱响应范围2mm 操作
450-2700nm 大光敏面InGaAs 铟镓砷光电二极管 φ2mm
PLC-B-2000- W2.6- TO5
450-2700nm2mm 加入询价单
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