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    900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型

    InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单 光子检测的专用器件,可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

    产品特点光谱响应范围0.9~1.7μm,高探测效率、低暗计数率,6 pin TO8

    产品型号IGA-APD-GM104-R-TEC

    应用领域弱光探测量子保密通信生物医疗

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    主要参数
  • 核心参数
  • 光谱响应范围 响应度

    0.9~1.7μm @1550nm: 0.85 A/W

  • 尺寸图
  • 型号参数

    线性模式参数

    产品型号

    IGA-APD-GM104-TEC

    参数

    符号

    单位

    测试条件

    Min.

    典型

    Max.

    反向击穿电压

    VBR

    V

    22℃±3℃ ,ID=10μA

    60

    80

    90

    响应度

    Re

    A/W

    22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

    0.8

    0.85


    暗电流

    ID

    nA

    22℃±3℃,M =10


    0.1

    0.3

    电容

    C

    pF

    22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



    0.25

    击穿电压温度系数

    η

    V/K

    -40℃ ~80℃,ID =10μA



    0.15

     

    盖革模式参数

    参数

    单位

    测试条件

    Min.

    典型

    Max.

    单光子探测效率 PDE

    %

    -45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布单光子源

    20



    暗计数率 DCR

     

    kHz

    -45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



     

    20*

    后脉冲概率 APP


    -45℃,1ns门宽,2MHz门控重频,1MHz光重频,PDE=20%



    1× 10-3

    时间抖动Tj

    ps

    -45℃,1ns 门宽,2MHz门控重频,PDE=20%



    100

    * 可提供不同等级规格产品

     

    特性曲线


    室温IV曲线

    627b997447cce.png 

    DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

     627b99a128eaf.png

    温度系数

     627b99ca961b8.png

    电容电压

     

     627b99f945750.png

     

     

     


    可选配置表

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