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900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型

概述
InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

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900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

产品信息产品型号 光谱响应范围响应度 操作

900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型 IGA-APD-GM104-R-TEC 0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单

900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型 IGA-APD-GM104-R 0.9~1.7μm@1550nm： 0.85 A/W 加入询价单

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