900-1700nm 铟镓砷InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 近红外波长
P97MXXT2系列 单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC Φ0.3~3mm TO8封装
800-2600nm 高速铟镓砷PIN光电二极管 Φ3.0mm/Φ1.5mm
铟镓砷 InGaAs (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm
高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm TO-39 光敏面3mm
1.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管 Φ0.3 mm
铟镓砷 InGaAs 长波长型光电二极管 2.6μm
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 制冷/非制冷型
铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um
铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)
Sherry
电话：16628709332
邮箱：info@microphotons.com
微信：
900-1700nm 铟镓砷InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 近红外波长
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。 为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
未找到相关产品！
自主研发
私人定制
产品资料
正品行货
