我们的铟镓砷探测器 ，感光范围覆盖800nm~1700nm， 常用于 近红外光测量；放大型探测器，8档可调增益 ，定量化光电转换；动态范围宽 ，适用于各种光电开发场景 ，应用广泛；索雷博THORLABS同款 ，无缝兼容 ，更多靶面尺寸规格 可供选择；性能优秀 ，高性价比 ，quan方位技术支持； 提供非标定制服务。
产品特点铟镓砷探测器，感光范围覆盖800~2600nm，常用于近中红外测量 、 放大型探测器，8档可调增益，定量化光电转换 、 动态范围宽，适用于各种红外光电开发场景，应用广泛 、 性能优秀，高性价比，quan方位技术支持
产品型号InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8
应用领域监控调Q激光器的输出 监控锁模激光器的输出
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光谱响应 感光尺寸
800~2600nm 2x2mm
参数信息:
产品型号 | InGaAs-0.8/2.2um-1x1mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.2um-2x2mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8 | InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8 | |
感光范围 | 800~2200nm | 800~2600nm | |||
响应时间常数 | 35ns | 200ns | 25ns | 233ns | |
增益GAIN | Hi-Z负载：1 .51kV/A~4.75 MV/A；50Ω负载：0 .75kV/A~2.38 MV/A | ||||
信号幅值 | Hi-Z负载：0~10V；50Ω负载：0~5V | ||||
增益调节方式 | 旋转档位式调节 ，0～70dB ，每10dB一档 ，共8档 。带宽与增益成反比。 | ||||
NEP | 1.0X10-13（W/Hz1/2） | 2.5X10-14（W/Hz1/2） | 1.0X10-12（W/Hz1/2） | 2.0X10-12（W/Hz1/2） | |
感光尺寸 | 1mm x 1mm | 2mm x 2mm | 1mm x 1mm | 2mm x 2mm | |
光敏面深度 | 0.13" (3.3 mm) | ||||
探测器净重 | 0.10kg | ||||
工作温度 | 10～40℃ | ||||
存储温度 | -20～70℃ | ||||
外观尺寸 | 2.79" X 2.07"x 0.89" (70.9 mm x 52.5 mm x 22.5 mm) | ||||
供电接口 | 供电开关 | 信号接口 | 增益调节 | 支杆接口 | 光学接口 |
LUMBERG | 滑动开关 | BNC母座 | 8档旋钮 | M4 x 2 | SM1 x 1 SM0.5 x 1 |
八档定量可调增益参数:
0dB | 10dB | 20dB | 30dB | ||||
增益(Hi-Z) | 1.51X103V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X103V/A | 增益(Hi-Z) | 1.5X104V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X104V/A |
增益(50Ω) | 0.75X103V/A | 增益(50Ω) | 2.38X103V/A | 增益(50Ω) | 0.75X104V/A | 增益(50Ω) | 2.38X104V/A |
带宽(BW) | 13MHz | 带宽(BW) | 1.7MHz | 带宽(BW) | 1.1MHz | 带宽(BW) | 300kHz |
噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV |
40dB | 50dB | 60dB | 70dB | ||||
增益(Hi-Z) | 1.51X105V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X105V/A | 增益(Hi-Z) | 1.5X106V/A | 增益(Hi-Z) | 4.75X106V/A |
增益(50Ω) | 0.75X105V/A | 增益(50Ω) | 2.38X105V/A | 增益(50Ω) | 0.75X106V/A | 增益(50Ω) | 2.38X106V/A |
带宽(BW) | 90kHz | 带宽(BW) | 28kHz | 带宽(BW) | 9kHz | 带宽(BW) | 3kHz |
噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤250μV | 噪声(RMS) | ≤300μV | 噪声(RMS) | ≤400μV |
信号偏置 | ±8mV(Typ.) , ±12mV(Max) | ||||||
产品配置：
响应曲线：
型号 | 感光范围 | 感光尺寸 | 增益范围 | 特性 |
InGaAs-0.8/2.2um-1x1mm-AG8 | 800~2200nm | 1mm x 1mm | 0~70dB八档定量可调增益 | 常规款 |
InGaAs-0.8/2.2um-2x2mm-AG8 | 大靶面 | |||
InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8 | 800~2600nm | 2mm x 2mm | 延伸覆盖2.6um | |
InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8 |
无
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