锗光电二极管通常用于测量近红外范围内的光功率，尤其是在成本敏感型应用或需要大面积探测器的应用中。然而，与类似尺寸的 InGaAs 探测器相比，锗探测器的分流电阻较低，暗电流较高，导致整体噪声水平较高。因此，锗探测器非常适合检测信号远高于本底噪声的应用。筱晓光子提供“HS”系列锗光电二极管，其分流电阻高于典型值，可提高性能。
产品特点芯片直径从 1 毫米到 25 毫米、 光谱响应从 800 nm 到 1700 nm、 多种窗口和镜头选项、 可用的光学滤波器（中性密度、带通等）、 热电冷却选项、 多种封装类型：TO 封装、BNC 选项、陶瓷基座上的芯片等
产品型号GE-10X10-BNC
应用领域光功率测量光谱学光学测试医疗诊断光纤接收器
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光谱响应范围 光敏面直径 响应度
800-1700nm 10mm @1550nm 0.85 A/W
10X10mm 锗光电二极管性能规格 | ||||
型号 | GB10M-XX | GE-10X10-BNC | GV10M-XX | |
光电特性@ 23 ºC ± 2 ºC | 单位 | |||
RSHUNT @ 10mV (Min. /典型) | 联系我们 | 2/3.5 | 联系我们 | kΩ |
IDARK (Max. ) | 50 | μA | ||
电容 (Max. ) | 90000 | pF | ||
VREVERSE | 0.5 | V | ||
噪声等效功率 (典型) | 6 | pW/Hz1/2 | ||
Max. 反向电压 | 1 | V | ||
锗光电二极管 | ||
光电特性 @ 23 ºC ± 2 ºC | ||
光谱响应范围 | 800-1700 | nm |
响应度@850 nm（典型值） | 0.30 | A/W |
响应度@1300 nm（典型值） | 0.75 | A/W |
响应度@1550 nm（典型值） | 0.85 | A/W |
线性度 | 10 | dBm |
存储温度 | -40 to 125 | ºC |
工作温度 | -40 to 85 | ºC |
Max. 额定值 @ 23 °C ± 2 °C | ||
反向电流 | 20 | mA |
正向电流 | 10 | mA |
不同温度波长响应曲线：
电容偏置电压曲线：
订购信息：
型号：GE-10X10-BNC
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