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    红外非线性 AgGaS2 (AGS) 硫镓银晶体 5x5x1 mm

    本产品由于具有独te的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体,在中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的兴趣。它们的应用包括:中红外波段OPO,近、中红外波段频率转换,CO2 激光倍频,THz生成。红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性,宽的光谱和角度接收范围,透光范围宽,对温度稳定性和振动控制没有苛刻的要求,可以进行良好的机械加工( GaSe除外)。其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS

    产品特点

    产品型号TAGS-401H

    应用领域

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    主要参数
  • 核心参数
  • 规格

    5x5x1 mm

  • 尺寸图
  • 详细参数

    1、AgGaS2 硫镓银晶体

    AgGaS2简称AGS晶体,中文名是硫镓银晶体,他的透光波段为0.53至12 µm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是Min的,但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验,直接红外对抗系统,以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频,硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。

     

     6177b36fb172c.png


    14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱


     6177b37fd0bc0.png

     

    AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线

     

     

    2、ZnGeP2晶体(简称ZGP晶体),磷锗锌晶体

    ZnGeP2磷锗锌晶体的透光波段为0.74至12 µm,其中有用的透光范围从1.9至10.6 µm。 ZnGeP2拥有Max的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域:

    ■ 通过与10.6 µm 波长混频的 CO2激光的上转换;

    ■ CO和 CO2 激光辐射的和频;

    ■ 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频;饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。

    E K S M A 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶体,更好的适应OPO或OPA应用,然后泵浦2.05-2.1 µm,镀增透膜。

     

     6177b3d1bc107.png

     

    ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

     

     6177b3e0934e5.png


    ZnGeP2晶体在2 µm附近的吸收光谱

     

     6177b3fdd92c6.png

     

    15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 µm 的透过光谱

     

    3、AgGaSe2 硒镓银晶体

    AgGaSe2硒镓银晶体晶体的透光波段在0.73至18 µm波段之间。其有用透光范围0.9-16 µm及宽的相匹配能力,在被多种当前常用激光泵浦时,能为OPO应用提供很有潜力的应用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下,已经获得2.5-12 µm的波长,以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下,获得1.9-5.5 µm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。

     

     6177b438f0922.png

     

    AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

     

     6177b44b97897.png

     

    18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱


     6177b45a1cc02.png

     

    25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱

     

     

    4、GaSe硒化镓

    GaSe 硒化镓晶体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 µm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面:CO2 激光的高效倍频,脉冲式CO、CO2DF化学 激光(λ = 2.36 µm)倍频,CO和CO2激光向可见光的上转换,通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲,3.5–18 µm范围内 OPG光的发生,飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域,为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。

     

     

     6177b49522068.png

     

     

    物理特性:

    晶体

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    晶体对称性

    四方

    四方

    四方

    六角

    立方闪锌矿

    点群

    42m

    42m

    42m

    62m

    43m

    晶格常数, Å a

    5.465

    5.9901

    5.757

    3.742

    6.1037

    c

    10.771

    10.8823

    10.305

    15.918

    -

    密度, g/cm3

    4.175

    5.71

    4.56

    5.03

    5.633

     

     

    光学特性:

    晶体

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    透光范围,µm

    0.74-12

    0.73-18

    0.53-12

    0.65-18

    0.65-17

    折射率@






    1.06 µm

    no

    3.2324

    2.7005

    2.4508

    2.9082

    2.7779

    ne

    3.2786

    2.6759

    2.3966

    2.5676

    5.3 µm

    no

    3.1141

    2.6140

    2.3954

    2.8340

    2.6974

    ne

    3.1524

    2.5823

    2.3421

    2.4599

    10.6 µm

    no

    3.0725

    2.5915

    2.3466

    2.8158

    2.6818

    ne

    3.1119

    2.5585

    2.2924

    2.4392

     

     

    吸收系数, cm-1 @






    1.06um

    3.0

    <0.02

    <0.09

    0.25

    -

    2.5um

    0.03

    <0.01

    0.01

    0.05

    -

    5.0um

    0.02

    <0.01

    0.01

    0.05

    -

    7.5um

    0.02

    -

    0.02

    0.05

    -

    10.0um

    0.4

    -

    <0.06

    0.05

    -

    11.0um

    0.8

    -

    0.06

    0.05

    -

     

     

    非线性光学特性:

    晶体

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    激光损失阈值, MW/cm2

    60

    25

    10

    28

    -

    @脉宽, ns

    100

    50

    20

    150

    -

    @波长, µm

    10.6

    2.05

    1.06

    9.3

    -

    非线性, pm/V

    111

    43

    31

    63

    -

    Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg

    76

    55

    67

    14

    -

    Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57

    0.57

    0.67

    0.85

    3.4

    -

     

     

    热学特性:

    晶体

    ZnGeP2

    AgGaSe2

    AgGaS2

    GaSe

    ZnTe

    熔点, ℃

    1298

    851

    998

    1233

    1295

    热膨胀系, 10-6/oK






    17.5(a)

    23.4(c)

    12.5

    9.0

    8.0

    9.1(b)

    18.0(d)

    -

    -

    -

    1.59(a)

    -6.4(c)

    -13.2

    8.25

    -

    8.08(b)

    -16.0(d)

    -

    -

    -

    @ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K

     

     

    计算折射率的SELLMEIER方程:

    晶体

    A

    B

    C

    D

    E

    F

    表达式

    ZnGeP2

    no

    8.0409

    1.68625

    0.40824

    1.2880

    611.05

    -

    n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ22-E)

    ne

    8.0929

    1.8649

    0.41468

    0.84052

    452.05

    -

    AgGaSe2

    no

    6.8507

    0.4297

    0.15840

    0.00125

    -

    -

    n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2

    ne

    6.6792

    0.4598

    0.21220

    0.00126

    -

    -

    AgGaS2

    no

    3.3970

    2.3982

    0.09311

    2.1640

    950.0

    -

    n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)

    ne

    3.5873

    1.9533

    0.11066

    2.3391

    1030.7

    -

    GaSe

    no

    7.443

    0.405

    0.0186

    0.0061

    3.1485

    2194

    n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)

    ne

    5.76

    0.3879

    -0.2288

    0.1223

    1.855

    1780

    ZnTe

    No, ne

    9.92

    0.42530

    0.37766

    2.63580

    56.5

    -

    n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)

     

     

    可以根据客户要求提供的其它晶体有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

    ZnTe/碲化锌:

    碲化锌晶体在<110>方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应,也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲,不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个<110>方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时,太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射,这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时,可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光,用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管,通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间,就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟,是时域太赫兹光谱的魅力之一。

    碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为Ø40x30 mm的光学元件。

     

    注意: 碲化锌含有微气泡,这并不影太赫兹的产生,然而,它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。

     

    订购信息

    如何订购:ZnGeP(ZGP) Crystals

    货号

    Size, mm

    θ

    φ

    镀膜

    标注

    交货期

    TL-ZP-401

    7x5x15 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    3周

    TL-ZP-402

    7x5x20 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    3周

    TL-ZP-403

    7x5x25 mm

    54°

    AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm

    OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm

    6周

     

     

    AgGaS2 (AGS) Crystals

    货号

    Size, mm

    θ

    φ

    镀膜

    标注

    交货期

    TAGS-401H

    5x5x1 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    1周

    TAGS-402H

    6x6x2 mm

    50°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

    联系我们

    TAGS-403H

    5x5x0.4 mm

    34°

    45°

    BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

    SHG @ 3-6 μm, Type 1

    1周

    TAGS-801H

    8x8x0.4 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    1周

    TAGS-802H

    8x8x1 mm

    39°

    45°

    BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

    DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

    1周

    AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.

     

     

    关于晶体选择列表仅供客户参考:

    A-F系列

    G-H系列

    L-N系列

    P-Z系列

    Al2O3

    GaTe

    LaAlO3

    PbWO4

    Al

    GaN

    LiTaO3

    PbF2

    Au

    GaP

    LiNbO3

    PbS

    Ag

    Ga:ZnO

    LiF

    PIN-PMN-PT

    AlN 单晶

    GdScO3

    LSAT

    PMN-PT

    BaF2

    GaSb

    LaF3

    SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)

    BaTiO3

    GaAs

    LiAlO2

    SrLaAlO4

    BGO

    Graphite(普通;热解)

    LGS 硅酸镓镧

    SrLaGaO4

    BSO

    GaSe

    LiGaO2

    Si( 超薄Si片)

    Bi2Te3

    GGG (Gd3Ga5O12)

    LGT钽酸镓镧

    SiC (4H,6H,3C)

    Bi2Se3

    Ge

    MgAl2O4

    SBN

    Bi2Se2Te

    Hg(1-x)Cd(x)Te

    MgF2

    SiO2(玻璃和单晶)

    Bi2Te2Se

    InP

    MgO

    Si-Ge

    BP 黑磷

    InAs

    MoSe2

    TiO2(锐钛矿型,金红石型)

    CdS

    InSb

    MoS2

    TbScO3

    CsI (TI)

    KH2PO4

    MoTe2

    TGG

    CaCO3

    KTaO3

    MgO:LiNbO3

    TeO2

    Cu(单晶)

    KTa 1-X NbXO3

    NdCaAlO4

    WTe2

    CdSe

    KCl

    NaCl

    WS2

    Ce:Lu2SiO5

    KTN

    Nb:SrTiO3 (国产,进口)

    WSe2

    CdWO4

    HOPG

    NdGaO3

    YAG

    CdZnTe


    NaCl

    YSZ

    CdTe


    Ni

    YAlO3

    CeF2



    YVO4

    CaF2



    ZnTe

    DyScO3



    ZnSe

    Fe:SrTiO3



    ZnO

    Fe3O4



    ZnS

    Fe2O3



    Zero diffraction plate (Si 和SiO2)

     

    操作说明

    关于质量控制实验室:

    Terahertzlabs光学的质量控制实验室通过使用高度专业化的设备和工艺,能够为客户提供高质量的精密光学元件。质量控制实验室配备了防振光学平台、层流罩和超声波清洗机,此外还配备了一系列高精度的测量设备来进行各种各样的测试。

     

    光学测试:

    1, Genesys-2 分光光度计:用于200-1100 nm波段透过率的精密测量;

    2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透过率和反射率的精密测量,激光光  束直径<1 mm;

    3,  ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波长测量面形和透过波前畸变的计算机控制科学干涉仪,标准具精度lambda/20;

    4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器,工作波长1064、532、355和266 nm,用于晶体角切精度测量、晶体效率和方向性测试;

    5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator;

    6,G-5 Ganiometers – 用于测量棱镜和楔角片角度,以及平面光学元件

    的平行度和塔差;

    7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大显微镜,带CCD相机,用于表面质

    量检测;

    8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer;

    实验室能力:

    光学实验室具有如下能力:

    1,光学和几何参数测量,如焦距、折射率、曲率半径、角度和塔差,用于波长转换(二、三次倍频)的光轴方向测量;

    2,表面质量测量,按照MIL、ISO或DIN标准;

    3, 平面度测量:波前畸变(反射和透过光束);

    4, 棱镜和楔角片角度测量,平面元件的平行度测量;

    5,材 料 和 薄 膜 镀 膜 光 谱 测 量 , 和 /或 角 反 射 和 透 过 率 测 量 ( 2 0 0 -2300 nm);

    6, 用ZEMAX软件进行光学设计。


     

     


    可选配置表


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