高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装， 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。
产品特点光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm ,光敏面直径 200μm , 高响应度、低暗电流 ,高可靠性
产品型号OVQT-A200M50
应用领域人眼安全激光雷达激光测距光时域反射计(OTDR)空间光通信仪器仪表光纤传感
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光谱响应 光敏面直径
0.9-1 .7um 200±2um
使用注意事项
采取必要的ESD 防护措施，以避免静电损伤
InP 基的芯片易碎，取用时应注意操作，推荐用真空吸附工具
芯片级光电参数
产品型号 | OVQT-A200M50 | |||||
参数 | 符号 | 单位 | 测量条件 | Min. | 典型 | Max. |
光敏面直径 | Φ | μm | - | 200 | ||
单位增益响应度 | Re | A/W | λ = 1.55μm, Pin = 1 μW | 0.95 | 1.05 | - |
增益 | M | - | VR =VBR -3V | 10 | 18 | - |
Max. 增益 | Mmax | - | VR =VBR - 1V | 45 | 50 | - |
暗电流 | ID | A | VR =VBR -3V | - | 6.0 | 25 |
暗电流温度系数 | ΔTID | /℃ | VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃ | - | - | 1.1 |
电容 | Ct | F | VR =VBR-3V, f=1MHz | - | 2.0 | 2.5 |
-3dB 带宽 | f-3dB | GHz | M=10, RL=50Ω | 0.4 | 1.4 | - |
反向击穿电压 | VBR | V | ID = 10μA | 30 | 42 | 80 |
击穿电压温度系数 | ƞ | V/°C | -40 ~ +85°C | 0.1 | - | 0.15 |
Max. jue对额定值
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
反向电流 | IR | 2 | mA |
正向电流 | IF | 10 | mA |
工作温度 | Tc | -40 ~ +85 | ℃ |
存储温度 | Tstg | -55 ~ +125 | ℃ |
无
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