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    铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (5MHz)

    铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

    产品特点低噪声,小于±1mV、 过冲小,过冲电压小于2.5%、 增益稳定:增益误差小于1%、 暗偏置电压输出噪声:小于1mV (rms)

    产品型号PDAM20A6B4G-InGaAS

    应用领域显示面板检测LED照明频闪分析玩具灯闪烁频率及功率测量气体分析

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    主要参数
  • 核心参数
  • 波长 带宽

    800-1700nm 5MHz

  • 尺寸图
  • 技术参数


    PN#

    PDA  M  005B-  Si

    PDA  M  36A5B6G-  SI

    PDA  M  20A6B4G-  InGaAs

    电器特性




    输入电压

    ±9VDC, 60mA

    ±9VDG 100mA

    ±9VDC. 100mA

    探头

    Silicon PIN

    Silicon PIN

    InGaAs PIN

    感光面

    2.65mm * 2.65mm

    3.6mm * 3.6mm

    Diameters@2 mm

    波长

    400 nm - 1100 nm

    320 nm - 1100 nm

    800 nm - 1700 nm(Optional   Extended(可选扩展)   2600nm)

    峰值响应

    0.62A/W @850nm

    0.6 A/W @960nm

    0.9 A/W@1550nm


    43.6mV/uW @850nm

    1 mV/nW @960nm

    9mV/uW@1550nm

    饱和光功率

    113pW@ 850nm (Hi-Z)

    6uW @960nm (Hi-Z)

    660 uW@1550nm (Hi-Z)

    芾宽

    DC •-5MHz

    DC - 200kHz

    DC - 5MHz

    NEP

    7.2 pW/4HZ1/2

    2.2 pW/HZ1/2

    64.5 pW/HZ1/2

    输出噪声(RMS)

    700 uV

    1 mV ・typ

    1.3 mV .typ

    暗电流偏置(MAX)

    ±5 mV

    ±1 mV

    ±5 mV

    上升沿/下降沿(10%—90%)

    65 ns

    1.7 us

    68ns

    输出电压




    Hi-Z

    0- SV (Hi-Z)

    0-6V (Hi-Z)

    0-6V (Hi-Z)

    500

    0 • 2.5V (50ohm)

    0 • 25V (50ohm)

    0 • 25V (50ohm)

    增益倍数




    Hi-Z

    67.5 kV/A

    1.68 MV/A

    10 kV/A

    50Q

    33.8 kV/A

    0.84 MV/A

    5kV/A

    增益精度(typ)

    ±1%

    ±1%

    ±1%

    其他参数





    拨动开关

    拨动开关

    拨动开关

    输出接口

    BNC

    BNC

    BNC

    尺寸

    53*50*50mm

    53*50*50mm

    53*50*50mm

    重量

    150g

    150g

    150g

    操作温度

    10-50deg

    10-50deg

    10-50deg

    存储温度

    25℃ - 70℃

    -25℃ - 70℃

    -25℃ - 70℃

     

     

    铟镓砷光电探测器,带放大,固定增益型号参考

     

    型号

    波长

    带宽

    上升时间

    增益

    RMS噪声

    NEP

    感应面

    工作温度

    电源

    Hi-Z 负载

    50Ω 负载

    PDA10A8B4G-NIR

    800 - 1700 nm

    DC - 140MHz

    2.5 nS

    1*104 V/A

    5*103 V/A

    760µV .typ

    4.8*10-12 W/√HZ

    ф1 mm

    10-50℃

    包含(±9V)

    PDA05A7B4G-NIR

    800 - 1700 nm

    DC - 25MHz

    14 nS

    1.2*104 V/A

    6*103 V/A

    1mV .typ

    1.9*10-11 W/√HZ

    ф0.5 mm

    10-50℃

    包含(±9V)

    PDA10A7B4G-NIR

    800 - 1700 nm

    DC - 12MHz

    29 nS

    1*104 V/A

    5*103 V/A

    800µV .typ

    2.6*10-11 W/√HZ

    ф1 mm

    10-50℃

    包含(±9V)

    PDA20A6B4G-NIR

    800 - 1700 nm

    DC - 5MHz

    70 nS

    1*104 V/A

    5*103 V/A

    1.3mV .typ

    6.5*10-11 W/√HZ

    ф2 mm

    10-50℃

    包含(±9V)

    PDA30A6B4G-NIR

    800 - 1700 nm

    DC - 2MHz

    175 nS

    1*104 V/A

    5*103 V/A

    800µV .typ

    6.3*10-11 W/√HZ

    ф3 mm

    10-50℃

    包含(±9V)

     

     

     

    产品特性

    外观及安装使用

    外观及安装使用


    622aefc6152c4.png

    测试案列

    测试光源:

    PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

    SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

    测试条件:25℃、激光器电流扫描15-23mA,探测器输出如下图。


    622aefe80822b.png

     此款探测器在972nm时,探测精度高,微弱光(几十微瓦)也可以探测到。

     

     

     

     

     

     

     

     


    可选配置表

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