1060nm扫频激光光源，基于新型MEMS技术，具有输出功率高，扫频范围宽，高相干长度，可靠性高，体积小巧操作简单等优势。高相干波长扫频光源适用于高速高精度光学频域反射计(OFDR)。 尺寸很小，它可以内置到各种设备中。
产品特点 工作波长： 1060，1300或1550nm三种波长可选、 扫描宽度：>100nm(@1550nm)、 扫描频率：Typ. 150 or 1250 Hz 、 输出功率：> 10 dBm 、 相干长度：> 100 m @Sweep Width 50nm (1550nm-band) @Sweep Frequency 150Hz
产品型号HCWSLS-1060-50-10-SA
应用领域 OCT应用（光学相干断层成像）光学频域反射计(OFDR)光学器件测量 相干相关的应用 光谱测量
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中心波长 扫描范围 光纤类型
1060nm 50nm SMF
参数 | 指标 | 备注 |
振荡模式 | 单横截面和自由模式切换 | |
扫频波形 | 正弦波 | |
中心波长 | 1060± 5 nm | 当扫描范围为50nm,中心波长定义为扫描范围的中心波长。 |
波长扫描范围 | 50nm | |
扫描频率 *1 | 1250 ± 50 Hz | |
平均光输出功率 (激光等级) | ≥ +10 dBm [Class 3B *2] | |
光连接器 | FC/APC | |
光纤类型 | SMF | 光纤长度为⪰730mm。Φ0.9mm松套管 |
光源连接器 | DF1B-14DES-2.5RC | Hirose 见图3和表1 |
热敏电阻 Th | 9.8 Ω ≤ Th ≤ 11.7 Ω | Rth = 10.74 kΩ ± 5% @25°C B = 3450 K ± 2% 看图3 (pin No. 9 and 10) |
MEMS线圈电阻 | 7 ± 2 Ω | 看图3(pin No. 5 and 6) |
尺寸 *3 | 31.6 x 40.0 x 27.0 mm | 不包括凸出部分 |
重量 | ≤ 200 g |
备注：上电后，设备至少预热30分钟。
jue对Max. 值参数
参数 | Max. 值 | 备注 |
LD正向电流@25°C | 180 mA | 看图3 (pin No. 7 and 8) |
LD反向电压@25°C | 2 V | 看图3 (pin No. 7 and 8) |
MEMS线圈信号*4 | 波长扫描范围不得超过52.5 nm | 正弦波形为Min. 电压为0V和VMEMS的振幅。频率与“扫描频率”相同。 |
工作热敏电阻温度 *5 | +20 ~ +30 °C | ≤85%RH No condensation |
存储温度 | −20 ~ +60 °C | ≤95%RH No condensation |
标准配件
参数 | 名称 | 数量 |
CD-ROM（操作手册） | GQA0600ASK-01 | 1 |
操作手册 | DD-L0020CZ004 | 1 |
光源电缆*6 | - | 1 |
备注：
*1 扫描频率取决于安装在波长扫描光源中的MEMS器件的机械谐振频率，用户无法调整。不要在1250±50Hz的频率范围外驱动MEMS设备。频率范围外的驱动信号会导致MEMS器件的损坏。
*2 GQA0600ASK在波长扫描范围内发射连续激光（CW），其发射等级为安全等级3B（根据IEC 60825-1）。
GQA0600ASK作为一个嵌入式部件设计，作为客户系统的一部分。采用GQA0600ASK的系统需要满足激光产品的安全性（根据IEC 60825-1）。
*3 使用底部的四个M2.5螺孔安装本产品。用扭力扳手拧紧螺钉，拧紧力矩为0.07～0.08 N·m。
*4 调整VMEMS，使波长扫描范围不超过52.5 nm。
*5 建议的工作热敏电阻温度为25±2°C。设定值的温度波动范围需要小于±0.1°C。由于该模块不包含 Peltie装置，建议在模块底部安装 Peltie装置以控制温度。
*6 电缆的一端有一个连接器，用于连接光源连接器（图2）。电缆的另一端是自然状态无连接。
应用举例
扫频源连接:
图3：Pinout
表1：连接器规格
参数 | 规格 | 备注 |
连接 | DF1B-14DES-2.5RC | Hirose |
电缆连接长度 | 60 ± 10 mm | 看图2 |
型号及订购
1060nm高相干波长扫频光源
HCWSLS-1060-50-10-SA
中心波长：1060：1060nm
波长扫描范围：50:50nm
平均光输出功率：10:10dBm
SA：SMF，FC/APC
无
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