• 795nm带制冷VCSEL激光二极管

    795nm带致冷TO型VCSEL是一种垂直发射的MOVPE生长的砷化镓单模二极管激光器。芯片为TO封装。内置TEC,可通过激光电流和温度调谐来实现波长调谐。专为为TDLAS打造。

    产品特点芯片技术:砷化镓VCSEL ,红外激光波长:795nm ,辐射剖面:单模, ESD:静电保护250V

    产品型号

    应用领域原子钟磁力计

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    主要参数
  • 核心参数
  • 795nm

  • 尺寸图
  • 产品关键指标

    (热沉温度TSubmount=90℃,环境温度TAmbient=25±5℃)

    参数

    符号

    单位

    Min. 值

    典型值

    Max. 值

    备注

    阈值电流

    Ith

    mA

    -

    -

    1

    CW

    出光功率

    POUT

    mW

    0.1

    -

    -

    CW,IFLD=1.4mA

    斜率效率

    SE

    mW/mA

    -

    0.2

    -

    CW,IFLD=Ith~2mA

    峰值波长

    λP

    nm

    -

    795

    -

    CW,IFLD=1.4mA

    边模抑制比

    SMSR

    dB

    20

    -

    -

    CW,IFLD=1.4mA

    峰值波长温度漂移系数

    ∆λP/∆TSubmount

    nm/℃

    -

    0.055

    -

    CW,IFLD=1.4mA,TSubmount=80~100℃

    峰值波长电流漂移系数

    ∆λP/∆IFLD

    nm/mA

    -

    0.3

    -

    CW,IFLD=Ith~2mA


    极限参数(TAmbient=25±5℃)

    参数

    符号

    单位

    Min. 值

    Max. 值

    TEC工作电流

    ITEC

    A

    -

    0.46

    TEC工作电压

    VTEC

    V

    -

    1.85

    光谱

    66ecd11311c2a.png

    激光功率测试曲线

    激光功率测试曲线

    66ecd140d387a.png

    驱动电压

    66ecd14da6ded.png

    封装尺寸及引脚定义

    66ecd15d32286.png

    Pin#

    功能

    1#

    Case

    2#

    Rth

    3#

    TEC+

    4#

    VCSEL+

    5#

    TEC-

    6#

    VCSEL-/Rth

    注意事项

    本产品工作时有激光出射,严禁激光照射人体任何部位;

    本产品为静电敏感器件,请在静电保护区域操作使用,并确保使用时与器件直接接触的工具已经规范接地;不当的操作和使用会对产品造成**性、不可逆的损伤;

    本产品带有光学窗口,使用及存储时请谨慎操作,避免光学窗口脏污、破损。


    可选配置表

    产品资料

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