Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。
产品特点内部TEC和热敏电阻、 2 nm TEC的可调性、高斯型光束轮廓 、 jue对对称的高斯型光束轮廓显著简化应用光学设计、小光束发散角 、发散角的范围为 20° (1/e2)，可重复再现，方便激光光束传导、光谱宽度窄 、凭借光谱宽度通常为 100 MHz 的激光线，此类激光器专为光谱应用而设计、低功率消耗 、由于功率消耗仅为数毫瓦，移动应用中可采用电池运行、TO46&TEC、特定工作条件：激光电流IOP = 2 mA 目标波长 λt = 850 nm @ TOP (由TEC调节)
产品型号ULM850-10-TN-S46FZP
应用领域CPT原子钟光学相干实验
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850nm 1mW TO46
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 备注 |
入射波长 | λR | 840 | 850 | 860 | nm | T = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW |
阈值电流 | ITH | 0.50 | mA | T = 20°C | ||
输出功率 | Popt | 0.50 | mW | T = 0 … 50°C | ||
阈值电压 | UTH | 1.80 | V | |||
激光电流 | IOP | 2.0 | mA | Popt = 0.5 mW | ||
激光电压 | UOP | 2.0 | V | Popt = 0.5 mW | ||
电光转换率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | T = 20°C | ||
微分串联电阻 | RS | 250 | Ω | Popt = 0.5 mW | ||
3dB调制带宽 | ν3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.5 mW (由于ESD防护二极管) | ||
相对噪声强度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波长调谐电流 | 0.6 | nm/mA | ||||
波长调谐温度 | 0.06 | nm/K | ||||
热电阻 | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
边模式抑制 | 30 | dB | ||||
光束发散度 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5 mW满1/e2带宽 | |
光谱带宽 | Δν | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW | ||
TEC电流 | ITEC | 500 | mA | 需适当散热器 | ||
NTC热敏电阻 | 9.5 | 10.0 | 10.5 | kΩ | T= 25°C, | |
NTC温度依赖性 | 10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)] | kΩ | ||||
波长调谐TEC电流 | 0.008 | nm/mA | TEC电流 < 200 mA | |||
● 储存温度 -40～125°C
● 工作温度 -20～80°C
● 电功率损耗 5 mW
● 正向激光电流 2 mA
● 反向电流 10 mA
● 焊接温度* 270C°
● *TEC 温度必须低于 150°C
高阶模式被强烈抑制，光谱带宽极窄
光束轮廓
单模 VCSEL 的远场光强分布完quan符合高斯模式
LIVT 特性曲线
您将受益于较宽温度范围内的线性性能和低阈值电流
TEC电流调谐下的温度/波长
无
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