搜索“VCSEL”的结果！

共有35个相关产品。

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  795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C)

  型号：V00145-Group4货号：I80015037

  795nm

  垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构...

  产品特点：包装: 裸片，芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器，激光波长: 795nm，辐射剖面: 单模 ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

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  795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C)

  型号：V00145-Group2货号：I80015036

  795nm

  垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构...

  产品特点：包装: 裸片 芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器 激光波长: 795nm 辐射剖面: 单模 ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

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  795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C)

  型号：V00145-Group1货号：I80015035

  795nm

  垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构...

  产品特点：包装: 裸片 芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器 激光波长: 795nm 辐射剖面: 单模 ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

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  795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group5 Ta=100±10°C)

  型号：V00145-Group5货号：I80015038

  795nm

  垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构...

  产品特点：包装: 裸片，芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器，激光波长: 795nm，辐射剖面: 单模，ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

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  VCSEL单模垂直腔面发射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta=60±10°C)

  型号：V00140-Group1货号：I80014002

  894.6nm

  垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构...

  产品特点：包装: 裸片，芯片工艺: GaAs， 垂直腔面发射激光器 ， 激光波长: 894.6 nm ， 辐射剖面: 单模 ，ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)