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    950-1650nm InGaAs单光子阵列探测器组件

    MP6514S型探测器组件由4×4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95-1.65 μm的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。

    产品特点光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm   ,采用金属封装,器件质轻灵巧  ,像元独立、自由运行  ,像元可探测弱光子信号  ,死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 

    产品型号MP6514S

    应用领域透雾烟尘等测距近红外激光告警远距离激光测距远距离空间激光通信

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    主要参数
  • 核心参数
  • 工作波长

    950-1650nm

  • 尺寸图
  • 型号参数

    探测器面阵规格


    性能描述

    器件类型

    InGaAs APD

    阵列规模

    4×4

    像元大小

    100μm×100μm

    光敏面大小[1]

    85μm×85μm

    光窗

    石英光窗

    感光靶面至光窗外表面间距

    4mm (光窗厚度为1mm )

    [1]:单片集成微透镜焦距150μm。


    主要性能指标(Tc=22+3℃)

    特性参数

    参数指标

    工作波长[1]

    0.95-1.65μm

    探测效率

    ≥10% ( 1.57+0.05μm)

    暗计数率

    ≤10KHz

    时间抖动

    ≤500ps

    死时间

    100 ~ 1000ns可调

    有效像元率

    100%

    [1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

    jue对Max. 额定值

    参数

    额定值

    单位

    工作温度范围Tc

    -40~+55

    °C

    贮存温度范围TSTG

    -40~+70

    °C

    Max. 功耗P

    15

    W

    输入偏置范围VR

    4.9~5.5

    V

    静电放电敏感度ESD

    1000~2000

    V

    质量可靠性保证

    ● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

     

    封装外形结构与尺寸


    封装外形结构与尺寸(单位: mm )

     

     

    电学接口

    图片3.png 

    ●电源输入: +5V

    ●数据输出类型: TTL

    ●控制命令接口: J63A-31

    ●电源输入接口类型: J30J

    ●数据输出接口类型: J63A-31

    ●外触发接口: SSMA

    接口编号

    功能

    1

    SSMA-1:内同步信号输出

    2

    SSMA-2:外同步信号输入

    3

    J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口

    4

    J30J: +5V单电源供电

     


    可选配置表

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