GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。 注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
产品特点太赫兹振荡能达到有非常宽的频域 、 抗损伤阈值高 、 非线性系数大 、 CO2激光的SHG 、 多种尺寸可选 、 客户导向的解决方案 、 接受客户定制服务
产品型号THZ-GASE-10-10-0.3
应用领域太赫兹时域系统太赫兹源晶体中远红外气体探测 CO2激光的SHGTHZ实验光源太赫兹成像
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规格尺寸
10 x 10 x 0.3mm
GaSe晶体的透过率曲线
EOS测量及反演结果
实验室光路系统
无
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