随着飞秒激光系统的能量水平不断提高,对脉冲压缩光栅能量/功率处理能力的需求也随之增加。我们制造100%的熔熔硅脉冲压缩光栅,利用了先进的干涉图案化技术和先进的反应离子蚀刻技术。提供优秀的能量/功率处理能力,并结合高效率,低波前失真性能。
产品特点高效率、低PDL、宽光谱带宽、 传输光栅提供了很大的对准公差、 低透射波前畸变、 对照明入射角的高容限、 2光栅设计是可能的，提供了紧凑的设计可能性、 无伦比的热稳定性和环境稳定性及使用寿命
产品型号PING-Sample-001
应用领域波长选择开关（WSS）/ROADMS可调谐滤波器光信道监视器（OCM）波长阻断剂多路复用器/多路复用器激光雷达光学相干断层扫描
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光栅面积 芯片尺寸 带宽
8 mm x 4 mm 9 mm x 8 mm 1525nm – 1565nm
型号参数
参数 | 规格 |
材料 | 100% 介电材料 |
光栅面积 | 8 mm x 4 mm |
芯片尺寸 | 9 mm x 8 mm |
切屑厚度 | 0.625 mm |
光栅分辨率 | 966.18 l/mm |
PDL | <0.25 dB |
入射角 (AOI) | 49.9 度 |
衍射效率 (TE & TM) | >90% |
带宽 (Illumination bandwidth) | 1525nm – 1565nm |
生产技术 | 全息/光刻步进机和 RIE 蚀刻 |
zui高工作温度 | >500 ℃ |
包装和运输 | Gelpak 容器。 在 10 级洁净室中制造和密封 |
清洁建议 | 优秀次可从光子清洁获得 |
通用参数
C-band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 |
940 l/mm | 46.6° | 19 mm x 13.5 mm | 21 mm x 15 mm | >90% | <0.25 dB | |
966.2 l/mm | 49.9° | 8 mm x 4 mm | 9 mm x 8 mm | >90% | <0.25 dB | |
49.9° | 6.5 mm x 5 mm | 7.5 mm x 7 mm | >90% | <0.25 dB | ||
49.9° | 12 mm x 3 mm | 15.5 mm x 3.5 mm | >90% | <0.25 dB | ||
49.9° | 10.2 mm x 4.0 mm | 11.2 mm x 8.0 mm | >90% (**) | <0.25 dB | ||
49.9° | 14.5 mm x 8 mm | 16 mm x 10 mm | >90% | <0.25 dB | ||
49.9° | 14.5 mm x 8 mm | 16 mm x 10 mm | >92% | <0.25 dB | ||
49.9° | 14.5 mm x 8 mm | 16 mm x 10 mm | >94% | <0.25 dB | ||
45° | 15 mm x 9 mm | 16 mm x 10 mm | ≥94% | ≤ 0.3 dB | ||
49.9° | 14 mm x 11.5 mm | 16 mm x 13.5 mm | >90% | <0.25 dB | ||
1000 l/mm | 49.9° | 19 mm x 13.5 mm | 21 mm x 15 mm | >90% | <0.25 dB | |
1000 l/mm | 50° | 40 mm x 37 mm | 43.6 mm x 38 mm | >90% | <0.25 dB | |
600 l/mm | 29.4° | 41 mm x 41mm | 42 mm x 42 mm | >90% | <0.25 dB |
L-band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 |
940 l/mm | 48.5° | 14 mm x 11.5 mm | 16 mm x 13.5 mm | >90% | <0.25 dB | |
940 l/mm | 48.5° | 19 mm x 13.5 mm | 21 mm x 15 mm | >90% | <0.25 dB |
O-band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 |
1144.16 l/mm | 49.9° | 14 mm x 11.5 mm | 16 mm x 13.5 mm | >90% | <0.25 dB |
1064 nm band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 |
1379 l/mm | 45° | 20 mm x 15 mm | 22 mm x 17 mm | >94% | <0.25 dB |
940 nm band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 |
1500 l/mm | 45° | 18 mm x 12 mm | 20 mm x 14 mm | 915 nm - 980 nm | >90% |
800/850 nm band
型号 | Resolution | AOI 入射角 | 格栅区面积 | 芯片尺寸 | DE 衍射效率（TE和TM） | PDL 偏振相关损耗 | |
1764.7 l/mm | 49.9° | 10.2 mm x 5.2 mm | 11.2 mm x 10.2 mm | 826 nm - 873 nm | >85% | <0.25 dB | |
1765 l/mm | 49.9° | 25 mm x 16 mm | 29.5 mm x 20 mm | 795 nm - 885 nm | >80% | <0.25 dB |
C波段PING典型衍射效率和 PDL
衍射效率与入射角
配置/定义
无
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