硅(Si) 硅基光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。
产品特点低噪声，小于±1mV ，过冲小，过冲电压小于2.5%，增益稳定：增益误差小于1%，暗偏置电压输出噪声：小于1mV (rms)
产品型号PDA12A7B4G-VIS
应用领域显示面板检测LED照明频闪分析玩具灯闪烁频率及功率测量气体分析
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感光面 波长 带宽
1.2mm*1.2 mm 400-1100nm DC-50MHz
参数 | |
型号 | PDA12A7B4G-VIS |
电气特性 | |
输入电压 | +/-9V DC，100mA |
探头 | Si PIN |
感光面 | 1.2*1.2 mm |
波长 | 400 nm-1100 nm |
峰值响应 | 0.55 A/W @850nm |
灵敏度 | 5.5 V/mW @850nm |
饱和光功率 | 1.3 mW @850nm |
带宽 | DC- 50MHz |
NEP | 11 pW/√HZ |
输出噪声(RMS) | 450 uv .typ |
暗偏置电压(MAX) | ±5mV |
上升沿/下降沿（10%-90%) | 7 ns |
输出电压 | |
Hi-Z | 0-7V |
50Ω | 0- 3.5V |
增益倍数 | |
Hi-Z | 10 kV/A |
50Ω | 5 kV/A |
增益精度(typ) | ±1% |
其他参数 | |
开关 | 拨动开关 |
输出接口 | BNC |
尺寸 | 40*50*50mm |
重量 | 150g |
操作温度 | 10℃ - 50 ℃ |
储存温度 | -25℃ - 70℃ |
带宽测试条件，测量输出值 100mV，驱动负载 50Ω。
上升沿测试条件，测量输出高电平 3V，驱动负载 50Ω。
噪声测试条件，完全暗光环境下，驱动负载 50Ω，测试输出值。
储存温度在相对湿度下有效，相对温度下环境湿度无凝结。
测试数据均在环境温度 25±5℃，环境湿度 50±10%。
光谱灵敏度
交流传输特性
PN# | PDAM005B-Si | PDAM36A5B6G-SI | PDAM20A6B4G-InGaAs |
电器特性 | |||
输入电压 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
探头 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
波长 | 400nm-1100nm | 320nm-1100nm | 800nm-1700nm (Optional Extended (可选扩展) 2600nm) |
峰值响应 | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm | |
饱和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
带宽 | DC •-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
输出噪声（RMS） | 700 uV | 1 mV ・typ | 1.3 mV .typ |
暗电流偏置（MAX） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
上升沿/下降沿（10%—90%） | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
输出电压Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
500 | 0 • 2.5V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) |
增益倍数 | |||
Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
500 | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
增益精度（typ） | ±1% | ±1% | ±1% |
其他参数 | |||
拨动开关 | 拨动开关 | 拨动开关 | |
输出接口 | BNC | BNC | BNC |
尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
重量 | 150g | 150g | 150g |
操作温度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
存储温度 | ・25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考 | ||||||||||
目录 | 波长 | 带宽 | 上升时间 | 增益 | RMS噪声 | NEP | 感应面积 | 工作温度 | 电源 | |
Hi-Z 负载 | 50Ω 负载 | |||||||||
PDA12A8B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 kV/A | 850µV .typ | 2*10-11 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
PDA12A7B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 50MHz | 7 nS | 5*104 V/A | 2.5*104 kV/A | 800µV .typ | 6.3*10-12 W/√HZ | 1.2mm*1.2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
PDA25A6B4G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 5MHz | 68 nS | 1*105 V/A | 5*104 V/A | 700µV .typ | 5.3*10-12 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
PDA36A5B6G-VIS | 320 - 1100 nm | DC - 200KHZ | 1.7 µS | 1.68*106 V/A | 8.4*105 V/A | 1mV .typ | 2.2*10-12 W/√HZ | 3.6mm*3.6mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
PDA25A4B8G-VIS | 400 - 1100 nm | DC - 20KHZ | 18 µS | 1*108 V/A | — | 1.5mV .typ | 1.8*10-13 W/√HZ | 2.5mm*2.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
光谱灵敏度
交流传输特性
测试案列：
测试光源：
PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN：DO3431e-q2-Bo2-A19
测试条件：25℃、激光器电流扫描15-23mA，探测器输出如下图。
此款探测器在972nm时，探测精度高，微弱光（几十微瓦）也可以探测到。
无
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