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    840nm SLD激光二极管 Anritsu

    SLD(超辐射发光二极管/SLED)光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED(发光二极管)等效的宽振荡光谱宽度,以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层,因此非常适合进入光纤,并且具有介于LD和LED之间的特性。AS8B系列是为光学相干层析成像(OCT)光源和非相干光学测量设备开发的超发光二极管(SLD)模块。

    产品特点光纤输出功率高: 2 mW(如果IF£120 mA)AS8B112G230M(Δλ:14 nm); 5 mW(如果IF£150 mA)AS8B115G230M(Δλ:14 nm); 5 mW(如果IF£180 mA)AS8B115L240M(Δλ:50 nm), 尾纤:SMF(Φ0.9 mm:尼龙涂层), FC-APC连接器, 14针蝶形组件, 监视器PD和TEC(热电冷却器)内置在组件中, 低功耗

    产品型号AS8B115L240M

    应用领域光学相干层析成像(OCT)光学传感系统光源

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    主要参数
  • 核心参数
  • 中心波长 光谱宽度 光功率

    840nm 50nm 5mW

  • 尺寸图
  • 引脚定义

    图片4.png

    图片5.png

    吸收Max. 额定值


    Item

    符号

    Rating

    单位

    AS8B112G230M

    AS8B115G230M

    AS8B115L240M

    输出功率

    Pf

    2.5

    6.0

    7.0

    mW

    SLD正向电流

    IF

    180

    220

    220

    mA

    SLD反向电压

    VR

    2.0

    V

    PD反向电压

    VRD

    20

    V

    外壳工作温度

    TC

    -20 to 70

    °C

    存储温度

    Tstg

    -40 to 85

    °C

    TEC电流

    IC

    2.0

    A

     

     

    注:超过jue对Max. 额定值可能导致故障。

     

     

    特性参数


    光纤特性

     

    参数

    Min.

    Typ.

    Max.

    单位

    截止波长

    700

    730

    760

    nm

    模场直径 @850nm

    4.5

    5.0

    5.5

    μm

    包层直径

    123.5

    125

    126.5

    μm

    涂覆层直径

    850

    -

    950

    μm

    光纤弯曲半径

    13

    -

    -

    mm

     

    光学特性(TSLD25°C、TC25°C)

    参数

    Symbol

    AS8B112G230M

    AS8B115G230M

    AS8B115L240M

    单位

    Min.

    Typ.

    Max.

    Min.

    Typ.

    Max.

    Min.

    Typ.

    Max.

    输出功率

    Pf

    2.0

    -

    -

    5.0

    -

    -

    5.0

    -

    -

    mW

    正向电压

    VF

    -

    2.0

    2.5

    -

    2.0

    2.5

    -

    2.0

    2.5

    V

    正向电流(BOL)

    IF

    -

    -

    120

    -

    -

    150

    -

    150

    180

    mA

    中心波长

    λC

    810

    830

    850

    810

    830

    850

    820

    840

    860

    nm

    光谱宽度

    Δλ

    10

    14

    -

    10

    14

    -

    45

    50

    -

    nm

    监测电流

    Im

    0.2

    -

    -

    0.2

    -

    -

    0.05

    -

    2.0

    mA

     

    1:每个值在额定输出功率下指Ding。

    2:监视器电流测量条件(VR=5 V)。

     

    电气特性

    参数

    符号

    条件

    Min.

    Typ.

    Max.

    单位

    PD 暗电流

    Id

    VR=5 V

    -

    -

    0.1

    μA

    追踪误差

    ΔPf

    Im=const, Tc=-20 to 70°C

    -1.0

    -

    1.0

    dB

    冷却电压

    VC

    IF=*EOL, Tc=70°C

    -

    -

    2.5

    V

    冷却电流

    IC

    IF=*EOL, Tc=70°C

    -

    -

    1.0

    A

    热敏电阻

    Rth

    TLD=25°C, B=3900±100K

    9.5

    10.0

    10.5

    注:BOL:寿命开始/EOL:寿命结束*EOL=BOL×1.2

     

    标准性能


    输出功率(Pf/正向电压(VF/监控电流(Im

     



    可选配置表

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