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    1320nm 高温高功率DFB芯片 250mW

    1320nm高温高功率DFB激光芯片适合在高温下工作,具有超低的RIN 噪声和高输出光功率等优点.输出功率高达250mW.可根据客户的需求提供波长定制服务

    产品特点高功率和高温的设计、在大的温度和电流范围内无跳模、低光束发射角、高边摸抑制比(SMSR)、低RIN、高反馈可持续性

    产品型号DFB-1320-CoC-250-85

    应用领域光信号收发器数据中心

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    主要参数
  • 核心参数
  • 1320nm 250mW 45dB

  • 尺寸图
  • 技术参数

    推荐的操作条件

    参数

    Min. 值

    典型值

    Max. 值

    单位

    芯片温度

    65

    85

    105

    正向电流


    800

    900

    mA

    输出功率

    20


    250

    mW


    基本参数





    对每个样品进行测试@ CW, 85℃, 800mA





    参数

    Min. 值

    典型值

    Max. 值

    单位

    输出功率@ 900mA

    250



    mW

    正向电压


    1.5

    3

    V

    阈值电流


    100

    130

    mA

    功率转换效率


    18


    %

    峰值波长*

    1315

    1320

    1325

    nm

    波长温度调谐系数


    90


    pm/℃

    波长电流调谐系数


    2.9


    pm/mA

    边模抑制比 (SMSR)

    40

    45


    dB

    慢轴光束发散角 (FWHM)

    7

    8

    9

    deg

    快轴光束发散角 (FWHM)

    33

    35

    37

    deg

    偏振消光比 (PER)

    15

    20


    dB

    偏振


    TE



    *可根据要求提供范围1270-1330nm范围的其他波长

    噪声特性





    条件 @ CW, 85℃, 800mA





    参数

    Min. 值

    典型值

    Max. 值

    单位

    线宽 (自外差法 @ 80MHz)


    1

    5

    MHz

    相对强度噪声 (RIN)*



    -140

    dB/Hz

    反馈灵敏度 (optical)**



    -30

    dB

    * 平均值,测量范围为DC-10GHz

    ** 单线光谱和RIN<-140dB/Hz

    芯片参数

    参数

    Min. 值

    典型值

    Max. 值

    单位

    芯片长度


    3


    mm

    前端面的背向反射


    0.01

    0.1

    %

    后端面的背向反射

    90

    99


    %



    jue对Max. 值参数

    参数

    Min

    Max

    单位

    正向电流


    950

    mA

    反向电压


    1

    V

    工作温度

    5

    125

    焊接温度 (5 sec max)


    250

    存储温度 (采用原始密封包装)

    -40

    85

    光谱图

    63d4936bddcb9.png

    产品特性

    典型工作性能

    @CW,推荐操作条件

    33.jpg

     


    可选配置表

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