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    320-1100nm常规型硅偏压光电探测器Φ10.0mm

    320-1100nm,偏压型探测器,感光尺寸Φ10.0mm,上升时间35ns,常应用于紫外与可见光测量

    产品特点感光范围覆盖200nm~1100nm,偏压型探测器噪声极低,响应快,无增益,成本低,适用于常规光电探测应用,性能卓越,性价比高

    产品型号PDSBC3D100

    应用领域紫外线与可见光测量

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    到货日期2-3周

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    主要参数
  • 核心参数
  • 材料 感光范围 感光尺寸 上升时间

    320-1100nm Φ10.0mm 35ns

  • 尺寸图
  • 详细参数

    参数

    波长范围

    200-1100nm

    350-1100nm

    320-1100nm

    感光尺寸

    Φ1.0mm

    Φ3.6mm

    Φ10.0mm

    带宽范围

    350MHz

    25MHz

    10MHz

    上升时间(@50Ω)

    1ns

    14ns

    35ns

    NEP

    5.0×10-14W/Hz1/2

    1.6×10-14W/Hz1/2

    2.4×10-14W/Hz1/2

    暗电流

    0.3nA(Typ.)/10nA(Max)

    0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max)

    0.9nA(Typ.)/10nA(Max)

    结电容

    6pF(Typ.)

    40pF(Typ.)

    150pF(Typ.)

    偏置电压

    10V

    输出电流

    0~10mA

    输出电压

    ~9V(Hi-Z);~170 mV(50Ω)

    光敏面深度

    0.09" (2.2 mm)

    0.09" (2.2 mm)

    0.13" (3.3mm)

    工作温度

    10-40℃

    存储温度

    -20-70℃

    探测器净重

    0.10kg

    欠压指标

    Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω)

    外观尺寸

    2.79"×1.96"×0.89" (70.9 mm×49.8 mm×22.5 mm)

    供电电池

    供电开关

    信号接口

    电池监测

    支杆接口

    光学接口

    A23,12VDC,40mAh

    滑动开关

    BNC母座

    瞬时按钮

    M4×2

    SM1×1

    SM0.5×1


    响应曲线

    图片5.png

    产品配置

    图片4.png

    可选配置表

    硅偏压光电探测器

    可选配置

    产品名称

    材料

    类型

    特点

    感光范围,感光尺寸

    PD: "光电探测器"

    S:Si硅基

    B:偏压型

    C:常规型

    2B10:200-1100nm,Φ1.0mm

    3E36:350-1100nm,Φ3.6mm

    3D100:320-1100nm,Φ10.0mm


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