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光电探测器 偏压探测器 InGaAs铟镓砷偏压探测器
光电探测器
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途
800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器
500-2600nm常规型铟镓砷偏压光电探测器
高速光电探测器
美国 EOT 高速光电探测器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm
800~1700nm偏压型铟镓砷光电探测器-常规型
800~1800nm偏压型大光敏面锗光电探测器
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